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试分析IGBT和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处

2022-08-03 家居 1529阅读
答：内部结构相似之处：
IGBT
内部结构包含了
MOSFET
内部结构。

内部结
构不同之处：
IGBT
内部结构有注入
P
区
, MOSFET
内部结构则无注入
P
区。

开关特性的相似之处：
IGBT
开关大部分时间由
MOSFET
运行
,
特性相似。
开关
特性的不同之处：
IGBT
的注入
P
区有电导调制效应
,
有少子储存现象
,
开关慢
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