IGBT的主要优点有：
1、IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。
2、IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。
3、较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。
4、IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
6、与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。
IGBT的主要优点有：
1、IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。
2、IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。
3、较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。
4、IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
6、与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。
