1、最大的区别是防呆口的位置不同。
DDR内存单面针脚数为92个（双面184个），防呆口左侧有52个，右侧有40个；
DDR2内存单面针脚数为120个（双面240个），防呆口左侧有64个，右侧有56个；
DDR3内存单面针脚数也是120个（双面240个），但是防呆口左侧有72个，右侧有48个；
如下图：
2、内存颗粒形状、大小不尽相同：
DDR内存颗粒为长方形，且较大；
DDR2、DDR3的内存颗粒为正方形，且体积只有DDR内存颗粒的三分之一左右。
3、工作电压不同：
DDR的工作电压2.5V；
DDR2的工作电压1.8V；
DDR3的工作电压1.5V。
