低位交叉存储器能够并行的原因主要包括以下几点：
1. 存储结构简单：低位交叉存储器的存储结构相对简单，相比其他存储器而言，它的控制逻辑较为简单。这意味着低位交叉存储器可以在短时间内完成读写操作，从而提供更高的并行性。
2. 更快的数据访问速度：由于低位交叉存储器采用了交叉存储的方式，可以将数据分散到不同的单元中存储，因此可以同时从多个单元中读取或写入数据。这样可以大大缩短数据访问时间，提高系统的响应速度。
3. 高效的数据缓存：低位交叉存储器可以利用内部的缓冲区缓存数据，当需要访问这些数据时，可以直接从缓冲区中获取。这种方式能够避免频繁访问存储器所带来的延迟和复杂性，并使得数据访问更为高效。
4. 适应高并发场景：低位交叉存储器由于其并行处理的特性，往往被广泛应用于高并发场景。例如，在互联网金融、电商等领域，低位交叉存储器可以有效地处理大量的并发请求，并提供快速的响应结果。同时，其高效的数据缓存和读写性能也能够满足不同领域对数据存储和访问的需求。
