提高但闹性能但是会减少使用寿命,
一．BIOS设置篇
BIOS是英文“Basic Input Output System”的缩写，中文名称为“基本输入输出系统”。一块好的主板，如果没有好的BIOS支持，想进行超频是很困难的。捷波为悍马HA01-GT2主板提供了功能强大的多种版本BIOS，使得大家在对CPU、内存等进行超频时非常方便。下面为大家讲解常用的BIOS超频选项及推荐值供大家参考。
（一）BIOS主界面
在BIOS主界面中，与超频有关的选项主要有以下几项：Advanced BIOS Features（高级BIOS功能设置）项； PC Health Status（计算机状态监控）项；Thermal Throttling Options（散热保护设置）项以及Power User Overclock Settings（高级用户超频设置）项等。
1.Advanced BIOS Features（高级BIOS功能设置）
选中CPU Fearure项回车
其中的“K8 NPT C1E Support”（自动降压降频），超频时从系统稳定考虑，建议关闭；AMD K8 Cool&Quiet coatrol（CPU冷又静），建议关闭。
2. PC Health Status（计算机状态监控）
该部分主要显示系统各项电压值、温度及各风扇运行状态状态
其中，“Show PC Health in Post”用于设置系统引导时是否在开机界面显示电压、温度、风扇工作状态等信息；
“Shutdown Temperature”项用于设置是否启用系统保护，如选择启用，则当CPU温度超过某一设置值时，系统将自动关闭以保护CPU不致损坏；
“SMART FAN Configuratlon”为智能风扇控制台，可以设置根据温度自动控制风扇转速，以减小噪音。选择此项回车
在这里可以设置CPU达到何种温度时，风扇全速或低速运转，如果选择为“关闭”，则CPU风扇一直保持全速运转，建议超频时将其关闭以加强散热；
SFAN1（SFAN2） speed select用于选择主板风扇的运转速度，以百分比表示。
3.Thermal Throttling Options（散热保护设置）
散热保护项用于设置CPU达到设定温度时，CPU自动降频，以及降频比例。其中的“CPU Throttling Beep”项如开启，则CPU温度达到设定值时，会启用声音报警。
此项设置在极限超频时建议关闭。
4. Power User Overclock Settings（高级用户超频设置）
此项为超频设置中最重要的部分，超频成绩与此项设置关系密切，需重点掌握。
Electricty Master：CPU降压设置，以百分比显示。
K8<->NB TH Speed：设置HT总线运行频率，根据CPU实际外频，建议设为3X或2X，超过1000Mhz的HT的设定，有可能造成系统不稳定或是北桥芯片过热。
K8<->NB TH Width：设置CPU与HT总线传输位宽，为提高性能，建议设置为“16”。
PCIE Clock：PCIE运行频率，默认锁定为100，不需要更改。
CPU Ratio：CPU倍频设置，K8系列只可下调不可上调（最新的黑盒子除外）。
CPU Frequency：CPU外频设置，范围从200～500，先不要设置太高，进系统后再用软件拉高。
DRAM Clock setting：内存档位设置，想找CPU极限的就设400档（有NB米条的除外），想找内存极限的设800档试试，根据你内存体质，也可以选用667档以兼顾性能与稳定。
Lock PCI Clock 33MHZ：默认锁定PCI设备工作频率为33；
CPU OverVoltage Setting：设置CPU电压，根据CPU类型和体质来设置，别太贪心哦，搞死CPU本鸟是不负责滴…
DIMM OverVoltages Setting：内存电压设置，同样不可贪心，常见的白菜价内存最好不要超过2.25V，烧掉就得不偿失了；
下面两项就不多说了，加不加压的对超频影响不太大，自已看着办吧。
接下来，选中“DRAM Configuration”回车，进入内存参数设置
各位XDJMS注意，很多时候CPU超不上去，跟这里的设置有很大关系，请想睡觉的同学们睁大眼睛竖起耳朵注意听讲。
DRAM Latency：预充电时间（TCL），一般简称CL，表示系统自主内存读取第一笔资料时所需的准备时间。在内存可以承受的情况下越快越好，开不了机或蓝屏的话放宽些吧。
RAS to CAS R/W Delay：列控制器至行控制器传输延迟（Trcd），内存控制器会先送出列(ROW)的位址，然后RAM收到列的位置后，经过一段时间，才会再传送行(Column)的位址，而这一段时间就是RAS Delay。设置原则同TCL。
Row Precharge Time：内存行地址控制器预充电时间（Trp），预充电参数越小则内存读写速度越快。
Mini RAS Active Time：内存活跃延迟（Tras），一般内存模组有分1bank跟2bank，当CPU在Bank1找完资料,Bank1便需要一段时间恢复才能再供利用,这一段时间就是RAM Active Time，根据内存体质越小越好咯。
DRAM Command Rate：传送、读取 “定址内存模组和内存芯片的频率循环”所需时间。可设置为“1T”或“2T”。1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存性能，但稳定性较差；2T拥有较长的延迟、差很多的内存效能，但比较稳定，超频时建议设置为“2T”。
DRAM Bank Interleaving：存储区块交错式运行模式。默认为开启，目前的内存都支持这一工作方式，不需要更改。
DQS Training Control：数据信号时间差控制，一般不需要更改。
Memc Lock tri-stating：默认为关闭，没搞懂也没试过。
Memory Hole Remapping：内存孔洞重映射，使用32位操作系统的可以无视它。
Auto Optimize Bottom IO:自动优化底层IO，默认开启，不用理会。
DDRII Timing Item：开启此项，才可以调整内存每个内存通道的延迟。
TwTr Command Delay：内存读到写延迟，建议设成2或3。
Twfc（0～3）For DIMM（0～3）：CPU与内存槽的连接延时，建议都先设成195，稳定后再逐步收紧，可以跑75最好。
（Twr）Write Recovery Time：写恢复延迟，可以设为4～6。
（Trtp）precharge Time：内存预充电时间，默认值为3，也可以设为4。
（Trc） Row Cycle Time：内存的行周期时间，取11～26之间均可，内存运行一个完整周期的时间越快越好。
（Rrrd）RAS to RAS Delay：预充电时间，延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。
BIOS里有关超频的设置基本上就是这些，退出时记得保存，否则又要重新来过。OK，现在进入超频实战阶段。
二．实战超频
理论方面的东西大家都知道，下面进行实际操作。此次我们将一颗默认频率为2G的AMD 3800+超频到3.5G，测试其SUPER PI的成绩。
1. 进BIOS中关闭AMD冷又静、自动降压降频等功能。
2. 进BIOS中关闭智能风扇控制、高温自动关机等功能。
3. 进入Power User Overclock Settings
设Electricty Master项为默认；
K8<->NB TH Speed项设为3X；
K8<->NB TH Width项设为16；
CPU Frequency项设为300外频起步；
DRAM Clock setting项设内存档位为667档起步（内存体质不好的同学还是设成533档吧）；
CPU OverVoltage Setting项设CPU电压为1.48V
DIMM OverVoltages Setting项设内存电压为2.4V
4. 进入DRAM Configuration项，设内存参数为5-5-5-12-2T
Twfc（0～3）For DIMM（0～3）项全部设为75。
设置完成，保存后重启进入操作系统，打开ClockGen，打开两个CPU-Z，一个用于监视内存频率、参数；一个用于监视CPU频率及HT总线。再打开一个MyGuard，用于监视各系统电压、温度
