反向电压增加，势垒电容减小。
PN结加反偏时，PN结交界处存在势垒区。P型层与N型层之间出现耗尽区（空间电荷区），类似电容器的绝缘层，而P、N区充当电容的两个极板，该电容的数值可以根据平板电容相似的理论加以计算。
当所加的反向电压增加时，会使耗尽区变宽，相当于极板距离加大，根据平板电容的理论，结电容量就会减小；反之反向电压减小时，使耗尽区变窄，结电容增加。
高频电路中常用的“变容二极管”就是根据这个原理制成的。采用不同的杂质浓度分布特点，可以改变电压-耗尽区的变化关系，从而控制变容管的容量变化曲线，通常采用“超突变结”可以提高电容量变化能力。
