1栅源电压V(GS)的控制作用:
当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0
2漏源电压V(GD)对沟道导电能力的影响:
当V(GD)>V(T)且固定为某值的情况下，若给漏源间加正电压V(DS)则源区的自由电子将沿着沟道漂移到漏区，形成漏极电流I(D)，当I(D)从DS流过沟道时，沿途会产生压降，进而导致沿着沟道长度上栅极与沟道间的电压分布不均匀。源极端电压最大，为V(GS) ，由此感生的沟道最深；离开源极端，越向漏极端靠近，则栅—沟间的电压线性下降，由它们感生的沟道越来越浅；直到漏极端，栅漏间电压最小，其值为： V(GD)=V(GS)-V(DS) , 由此 感生的沟道也最浅。可见，在V(DS)作用下导电沟道的深度是不均匀的，沟道呈锥形分布。若V(DS)进一步增大，直至V(GD)=V(T)，即V(GS)-V(DS)=V(T)或V(DS)=V(GS)-V(T)时，则漏端沟道消失，出现预夹断点。
当V(S)为0或较小时，V(GD)>V(T)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预夹断区内的电场力扫至漏区，形成漏极电流。当VDS增加到使VGD
