激光可以切割晶体，但是沿晶轴切割和沿折射率主轴切割是有不同的。
看下面解释：
制备符合硅器件和集成电路制作要求的单晶硅片的工艺，包括滚磨、切割、研磨、倒角、化学腐蚀、抛光，以及几何尺寸和表面质量检测等工序。
滚磨 切片前先将硅单晶棒研磨成具有精确直径的单晶棒,再沿单晶棒的晶轴方向研磨出主、次参考面,用氢氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蚀研磨面，称为减径腐蚀。
切割 也称切片，把硅单晶棒切成所需形状的硅片（如圆片）的工艺。切割分外圆切割、超声切割、电子束切割和普遍采用的内圆切割等。
研磨 也称磨片，在研磨机上，用白刚玉或金刚砂等配制的研磨液将硅片研磨成具有一定厚度和光洁度的工艺。有单面研磨和双面研磨两种方式。
倒角 为解决硅片边缘碎裂所引起的表面质量下降，以及光刻涂胶和外延的边缘凸起等问题的边缘弧形工艺。倒角方法有磨削、喷砂、化学腐蚀和恰当的抛光等，较普遍采用的是用倒角机以成型的砂轮磨削硅片边缘，直到硅片边缘形状与轮的形状一致为止。
