这两种储存芯片的技术原理是不一样的，内存条中对数据的存储靠的是电容，固态硬盘和内存卡还有U盘的原理是一样的，它们对数据的存储靠的是pn结。
内存条用英文表示是DDR，它是动态随机存储器。动态意味着在电容中存储的数据只能保存非常短的时间（即使加着电），几毫秒就得刷新（重新写入）一次，不然就掉数据。意思就是说，DDR之所以大量写入不会坏，一个原因是因为数据不管有没有写入，都在被不断的被刷新（重新写入），也就不存在老化和寿命的问题。数据会坏？不要紧，在那之前已经重新写入了。[呃！~~~不要在意我复制别人的回答，因为他说的确实很有道理。]
而内存卡U盘及固态硬盘对它们所相应的存储单元的每一次存储数据的动作依靠的是对一个pn结及结构组件的放电击穿（对其原理略懂的童鞋在我一说放电击穿时肯定一下子就明白了），这是一种物理损害，而读取数据就没必要进行放电击穿这一动作了。也就是说在这上面每进行一次数据的存储都要做一次放电击穿(呵呵！别嫌我啰嗦)，而一个pn结及其结构组件对其放电击穿的动作是有限制的，到最后就会被彻底击毁。这样就把其从存储芯片的P/E次数彻底用完了，这就是一个存储芯片的寿命到头了。再说了，半导体制程工艺的纳米数肯定有人听说过及明白它的概念吧，纳米数越小其pn结这样的结构也越小，对放电击穿的耐受次数也越小，其P/E次数也变得越来越小了，在3D结构大行其道的今天。把相应的纳米数变大也是为了保证产品的读写次数也就是使用寿命，这确实是一种聪明的做法！
