1.单级CMOS版图分析
单级CMOS版图的重点是分析串并联关系。
MOS管并联：源区连在一起，漏区连在一起。
如例1，N阱中的PMOS从左面第一个开始，到第四个栅后，有源区没有和前面的有源区相连，所以有三个MOS管并联，且后面的必然和这三个属串联关系。
MOS管串联：源漏区首尾相连，整体看只有一个源和一个漏与外部连接。
例如下图N阱中PMOS，两组并联的PMOS，先将各组看为一个栅，则两个栅之间的有源区为首位相连，两组为串联关系。
复杂的版图，先将已分析出的串联管、并联管分别等效为一个MOS管，再分析。
例1.分析过程：红->蓝->绿

例2.分析PDN：先把串联栅等效为一个MOS管，可以看出剩下2个漏相连，2个源接地，共有2+2-1即3组MOS管并联，再将合并管恢复。
例3. CMOS版图选择性分析：CMOS版图的PUN和PDN实现的是相同的功能，如果判断出是标准CMOS版图（特点是相应的NMOS、PMOS管栅极相连），则可只分析PUN或PDN中的一个。直观上看，二者中简单者有源区相连比较有规律，如下图中的PUN就要简单于PDN。
但是分析PUN要注意，分析完的串并联关系，要先做对偶变换（加乘互换，0、1互换），再加上“非”。
2.多级CMOS版图分析
多级CMOS版图中，必有漏极（前级输出）和栅极（后级输入）相连，所以要先找到两级间相连的部分。然后从已知的栅极开始，逐级分析。每一级的PUN和PDN一般靠的较近，如下图，很容易区分。
