10NS的内存工作频率是多少？

EDO DRAM(Extended Data Output RAM)，扩展数据输出内存，是Micron公司的专利技术，有72线和168线之分，5V电压，带宽32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM 是在传统 FPRAM (Fast Page RAM) 中改进过来, 运作上主要系假定下一次的存取地址都是与上一次连续, 然后准备定资料 (这是假设用户的资料多数是 sequential 的), 这样便能把 memory throughput 由 FPRAM 的最高 176MB/s 提升到 EDO RAM 的最高 264MB/s, 于 1993 年后 EDO RAM 便开始取代 FPRAM 的位置 静态随机存取内存 (Static Random Access Memory, SRAM) 是半导体内存的一种, 属随机存取内存 (RAM) 一类。所谓的「静态」, 是指这种内存只要保持通电, 里面储存的资讯就可以恒常保持。相对之下, 动态随机存取内存（DRAM）里面所储存的资料就需要周期性地更新。然而, 当电力供应停止时, 其内储存的资料还是会消失, 这与在断电后还能储存资料的 ROM 或快闪存储器仍然是不同的。 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。 DDR双通道同步动态随机存储器（双通道同步动态随机存取内存）即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍资料传输率之SDRAM，其资料传输速度为系统时脉之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。 由于传统SDRAM在运作时，一个单位时间内只能读/写一次，当同时需要读取和写入时，便要等其中一个动作完成才能继续进行下一个动作。而DDR SDRAM则解决这项缺点，由于读取和写入可以在一个单位时间内进行，因此效能便会提升两倍，这也便是为何DDR SDRAM的时脉要「自动乘以二」的缘故。 JEDEC为DDR存储器设立了速度规范，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。规格（记忆芯片） DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高规格) DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格) DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格) DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格) DDR-700的例子(产品):Patriot PDC1G5600ELK [编辑] 规格 （芯片模块） PC-1600内存模块指工作在100 MHz下的DDR-200内存芯片，其拥有1.600 MegaByte/s的带宽 PC-2100内存模块指工作在133 MHz下的DDR-266内存芯片，其拥有2.133 MegaByte/s的带宽 PC-2700内存模块指工作在166 MHz下的DDR-333内存芯片，其拥有2.667 MegaByte/s的带宽 PC-3200内存模块指工作在200 MHz下的DDR-400内存芯片，其拥有3.200 MegaByte/s的带宽 DDR2第二代双倍数据率同步动态随机访问内存（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为 DDR2 SDRAM），是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机访问内存）的后继者，也是现时流行的内存产品。 JEDEC为DDR存储器设立了速度规，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。规格（记忆芯片） DDR2-400：DDR2-SDRAM 记忆片在200 MHz下运行 DDR2-533：DDR2-SDRAM 记忆芯片在266 MHz下运行 DDR2-667：DDR2-SDRAM 记忆芯片在333 MHz下运行 DDR2-800：DDR2-SDRAM 记忆芯片在400 MHz下运行 DDR2-1000：DDR2-SDRAM 记忆芯片在500 MHz下运行 DDR2-1066：DDR2-SDRAM 记忆芯片在533 MHz下运行 现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200，但必须在高电压下运作，以维持其稳定性。 DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显： (1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 (2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 (3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。 目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。 ..