根据费米-狄拉克分布函数，半导体中占有某一能级E的允许状态几率f(E)为f(E)=[1+exp((E-Ef)/kT)]^-1？

σ=neμ
式中n为载流子速度（cm-3），e为载流子电荷（电子电荷1.6×10-19C）,μ为迁移率（cm2〃V-1〃s-1）。当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时，
σ=neeμe+nheμh
假设Si的迁移率μe=1450（cm2〃V-1〃s-1），μh=500（cm2〃V-1〃s-1），且不随温度变化。试求Si在室温20℃和在500℃时的电导率。
4、根据费米—狄拉克分布函数，半导体中电子占有某一能级E的允许状态几率f(E)为：
f(E)=[1+exp(E-EF)/kT]-1EF为费米能级，它是电子存在几率为1/2的能级。
如图5.56所示的能带结构，本征半导体导带中的电子浓度n，价带中的空穴浓度p分别为

式中：me*,mh*分别为电子和空穴的有效质量，h为普朗克常数。