在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。
由于扩散运动形成了上图中的PN结。就是红色虚线内侧一带。这个PN结形成的内电场的方向是向左。这个电场的效果是阻止扩散的进行。使PN二个半导体之间不再有电荷的定向移动。
如果外加一电场，P接正极、N接负极，则N区的多数载流子--电子就可以越过PN结，相当于这里增加了一个空穴，也常说是空穴越过了PN结从P区到达N区。在外加电场的作用下，这种漂移运动不断进行，就形成了正向电流。
扩展资料：
在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。
扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。
参考资料来源：百度百科-PN结
