R1代表定子铜损耗电阻，X1代表定子漏磁通电抗，Rm代表铁损耗电阻，Xm代表主磁通电抗，X2'代表折算后的转子漏磁通电抗，R2‘代表转子铜损耗电阻，（1-s/s）R2'代表总机械损耗的虚拟电阻：
扩展资料：
表征固态电子器件电特性的电路模型。常用的固态电子器件有晶体二极管、晶体三极管和场效应晶体管等。它们与其他电子元件组合，构成功能不同的各类电路。
为了分析这些电路，必须把固态电子器件表示成由某些路元件组成的简单电路模型。这些电路元件可以是无源电子元件，也可以是受控电流源或受控电压源(见电路)。
尽管这类等效电路只能近似地反映这类电子器件的外部电特性，但在分析和设计电子电路时有着十分重要的作用。随着集成电路和计算机辅助分析与设计方法的迅速发展，建立更加合理的固态电子器件的电路模型，越来越重要。
通常，按信号幅度的大小，可将固态电子器件等效电路分为两类：小信号等效电路和大信号等效电路。晶体二极管交流小信号等效电路，它的主要等效电路元件是并联的交流电阻R和电容C(图1)。R的定义是二极管端电压的微小变化与电流微小变化之比。
R值随二极管的直流工作点而变。电容C由势垒电容CT和扩散电容CD并联而成。晶体管交流小信号等效电路 h参数和y参数。在交流小信号下工作的晶体管，可以用线性元件组成的有源两端口网络（见网络拓扑）来表示。
参考资料来源：百度百科-固态电子器件等效电路
