不是，主流的英特尔处理器会有20亿个晶体管，高端产品可以达到60亿个，采用光刻蚀技术；光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。
扩展资料
工艺分类
刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
刻蚀的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个刻蚀，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。
整个刻蚀的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个刻蚀之快慢也卡在该者，故有所谓「reactionlimited」与「diffusionlimited」两类刻蚀之分。
湿刻蚀
最普遍、也是设备成本最低的刻蚀方法。其影响被刻蚀物之刻蚀速率(etchingrate)的因素有三：刻蚀液浓度、刻蚀液温度、及搅拌(stirring)之有无。
定性而言，增加刻蚀温度与加入搅拌，均能有效提高刻蚀速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF刻蚀SiO2，当然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多。
但40%的KOH刻蚀Si的速率却比20%KOH慢！湿刻蚀的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。
一个选用湿刻蚀配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行刻蚀时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质(如刻蚀掩膜；etchingmask，或承载被加工薄膜之基板；substrate)的腐蚀速度之比值。
参考资料：
