DDR1为双信道同步动态随机存取内存，是第一代的SDRAM技术。单一周期内可读取或写入2次。在核心频率不变的情况下，DDR1内存Prefetch为2bit，运作时I／O会预取2bit的资料。
DDR2为双信道两次同步动态随机存取内存，是第二代的SDRAM技术。DDR2内存Prefetch又再度提升至4bit（DDR1的两倍），DDR2的I／O频率是DDR1的2倍。
DDR3为双信道三次同步动态随机存取内存，是第三代的SDRAM技术。DDR3内存Prefetch提升至8bit，即每次会存取8bits为一组的数据。DDR3传输速率介于800～1600MT／s之间。
DDR4为双信道四次同步动态随机存取内存，是第四代的SDRAM技术。DDR4提供比DDR3／DDR2更低的供电电压1．2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200MT／s。
内存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4区别为：功能不同、传输速率不同、电压频率不同。
一、功能不同
1、DDR1：DDR1在单一周期内可读取或写入2次。
2、DDR2：DDR2新增了Bank Group 数据组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性。
3、DDR3：DDR3新增ASR（Automatic Self－Refresh）、SRT（Self－Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。
4、DDR4：DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。
二、传输速率不同
1、DDR1：DDR1的传输速率介于266～400MT／s之间。
2、DDR2：DDR2的传输速率介于533～800MT／s之间。
3、DDR3：DDR3的传输速率介于1066～1600MT／s之间。
4、DDR4：DDR4的传输速率介于2133～3200MT／s之间。
三、电压频率不同
1、DDR1：DDR1使用的电压是2．5V，频率有200、266、333、400四种。
2、DDR2：DDR2使用的电压是1．8V，频率有533，667，800三种。
3、DDR3：DDR3使用的电压是1．5V。频率有1066、1333、1600、2133四种。
4、DDR4：DDR4使用的电压是1．2V。频率有3000、2666、3200、2400、2933五种。
