英飞凌IGBT命名规则
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统:
Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型
二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:
T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管＆一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率
