不能一起使用。
由于接口的改变，DDR4内存的金手指触点达到了284个，每一个触点的间距从DDR3内存的1mm缩减到0.85mm（上一代DDR3内存金手指触点则是240个），这就导致DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这种就形成了弯曲效果，并且金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。
扩展资料：
DDR3的新型设计：
1、8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2、采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3、采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
