MOSFET的开关控制电压是v(gs)。因此，V1应该加在Q1的g和s之间，而非g和地之间；
Q2的d和g位置反了，V3不能加到Q2的g和s之间，故不能控制Q2的通、断；而且Q2内部的寄生二极管会将Q1导通的电源电压短路到地。
V1与V3的通与断是交错的，所以需要为V3设置与V1脉冲宽度相同的延迟时间。
上面文字中的元件编号是按原图的。
MOSFET的开关控制电压是v(gs)。因此，V1应该加在Q1的g和s之间，而非g和地之间；
Q2的d和g位置反了，V3不能加到Q2的g和s之间，故不能控制Q2的通、断；而且Q2内部的寄生二极管会将Q1导通的电源电压短路到地。
V1与V3的通与断是交错的，所以需要为V3设置与V1脉冲宽度相同的延迟时间。
上面文字中的元件编号是按原图的。
