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三星10nm工艺相当于英特尔多少

2022-08-19 科技 91阅读
相当于英特尔的14纳米工艺，至少英特尔是这样认为的。
英特尔副总裁Stacy Smith说三星的工艺数字经过“美化”的，掩盖了栅极间距、晶体管密度等关键指标。比如14纳米FinFET工艺下，三星栅极、鳍的间距为84、78纳米。大于Intel的70纳米、64纳米；10FinFET纳米工艺下，三星栅极间距为64纳米，大于Intel的54纳米。
英特尔的10纳米还是比较值得期待的，因为它比14纳米多了近2.5倍的晶体管。。。。
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