一、IC生产工艺流程图
整个流程分为六个部分：单晶硅片制造，IC设计，光罩制作，IC制造，IC测试和封装。
1、单晶硅片制造
单晶硅片是用来制造IC的，单晶硅片制造流程主要有拉晶、切割、研磨、抛光和清洗。
2、IC设计
IC设计主要是设计电路，并把设计好的电路转化为版图。
3、光罩制作
光罩制作是指将IC设计中心已设计好的电路版图以同样比例或减小比例转化到一块玻璃板上。
4、IC制造
IC制造是指在单晶硅片上制作集成电路芯片，其流程主要有蚀刻、氧化、扩散/离子植入、化学气相沉积薄膜和金属溅镀。拥有上述功能的公司一般被称为晶圆代工厂。
5、IC测试
在产品销售给客户前，为了确保IC的质量，在IC封装前（晶圆点测）或者封装后（终测）要对其功能进行测试。
6、IC封装
IC封装是指晶圆点测后对IC进行封装，其流程主要有晶圆切割、固晶、打线、塑封、切筋和成形、打码、终测、分选和编带。
二、贴片电阻生产工艺流程图
工艺过程主要有三大基本操作步骤：涂布、贴装、焊接。
1、涂布
涂布是将焊膏（或固化胶）涂布到PCB板上。涂布相关设备是：印刷机、点膏机。
涂布相关设备是印刷机、点膏机。
涂布设备：精密丝网印刷机、管状多点立体精密印刷机。
2、贴装
贴装是将器件贴装到PCB板上。
相关设备贴片机。
贴装设备：全自动贴片机、手动贴片机。
3、回流焊：
回流焊是将组件板加温，使焊膏熔化而达到器件与PCB板焊盘之间电气连接。
相关设备：回流焊炉。
三、电容生产工艺流程图
1、原材料：陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)；
2、球磨：通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)； 3、配料——各种配料按照一定比例混合； 4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状；
5、流沿：将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，保证表面平整)；
6、印刷电极：将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证，不同MLCC的尺寸由该工艺保证)；
7、叠层：将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来，形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的)；
8、层压：使多层的坯体版能够结合紧密；
9、切割：将坯体版切割成单体的坯体；
10、排胶：将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除；
11、焙烧：用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间，如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂)；
12、倒角：将长方体的棱角磨掉，并且将电极露出来，形成倒角陶瓷颗粒；
13、封端：将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极，并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的)；
14、烧端：将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密；形成陶瓷电容初体；
15、镀镍：将陶瓷电容初体电极端(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层，镍层一定要完全覆盖电极端铜或银，形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生相互渗透，导致电容老衰)；
16、镀锡：在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料，镀锡工艺决定电容的可焊性)；
17、测试：该流程必测的四个指标：耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值，电容的精确度等)
扩展材料：
流程图的基本符号
1、设计流程图的难点在于对业务逻辑的清晰把握。熟悉整个流程的方方面面。这要求设计者自己对任何活动、事件的流程设计，都要事先对该活动、事件本身进行深入分析，研究内在的属性和规律，
在此基础上把握流程设计的环节和时序，做出流程的科学设计，研究内在属性与规律，这是流程设计应该考虑的基本因素。 也是设计一个好的流程图的前提条件。
2、根据事物内在属性和规律进行具体分析，将流程的全过程，按每个阶段的作用、功能的不同，分解为若干小环节，每一个环节都可以用一个进程来表示。在流程图中进程使用方框符号来表达。
3、既然是流程，每个环节就会有先后顺序，按照每个环节应该经历的时间顺序，将各环节依次排开，并用箭头线连接起来。 箭头线在流程图中表示各环节、步骤在顺序中的进程，某环节，按需要可在方框中或方框外，作简要注释，也可不作注释。
4、经常判断是非常重要的，用来表示过程中的一项判定或一个分岔点，判定或分岔的说明写在菱形内，常以问题的形式出现。对该问题的回答决定了判定符号之外引出的路线，每条路线标上相应的回答。
参考资料：
