GaAs是一种非常重要的半导体材料，它在微电子器件中有着广泛的应用，如光电器件、微电子处理器和激光器等。在GaAs晶体中起施主作用的主要是以下几个元素：
1. 硅(Si)：硅在GaAs中起施主作用，它可以代替砷(As)占据砷原子的位置，并释放出空位。由于硅原子比砷原子更小，因此硅原子占据的位置会比砷原子更紧密，导致周围的晶格略微失序。这种失序导致了电子的局部结构变化，从而使得硅成为一个施主。
2. 碳(C)：碳具有三价和四价两种形态，其中三价碳可以代替砷成为GaAs中的施主。碳能够更加容易地挤出周围的原子，因此它会形成一些局部的缺陷，导致与硅类似的电子结构变化。
3. 氧(O)：氧在GaAs中通常是杂质，在一些特殊条件下也可以成为施主。氧原子会占据砷原子的位置，并释放出空位。释放出的空位使得周围的Ga原子会受到一定的压缩，导致电子结构发生变化。
以上是GaAs中起施主作用的几种元素，它们都有一个共同的特点，就是它们可以代替4价砷原子成为晶格的一部分，并释放出空位。这些空位会导致周围的晶格略微失序，从而影响了电子结构。因此，在GaAs的半导体器件中，这些施主杂质通常被用来控制电子浓度和类型。
